經濟部工業局

一、計畫目標

臺灣半導體產業為我國經濟重大支柱，總產值已突破新臺幣2.6兆元居全球第二，由於政策引導、產業優質環境及堅強人才實力，不僅在半導體代工服務居全球龍頭，也是資通訊產品的主要生產國，生產數量全球市占第一。無論是智慧型手機、自駕車、還是智慧雲端語音助理，這些新興科技產品中使用到的半導體晶圓，超過一半全是「Made in Taiwan」。

此外，我國垂直應用領域科技化程度亦高，包含醫療照護、智慧城市、數位政府服務、智慧製造及精緻農業等，具有完整的硬體供應鏈及建構完整智慧系統的能力，也為臺灣發展高科技產業注入強大的隱形助力。半導體材料使用量占全球22%，需求名列第一。

強化國內半導體產業上中下游供應鏈材料自主性，成為鞏固產業發展競爭力之重要課題，故鼓勵我國業者投入管制材料註與部分非管制材料項目研發，在地化生產，結合法人 α-site 驗證能量，並導入下游廠商β-site驗證實測規劃，以加速業者產品通過產線測試，掌握關鍵化學品，拉高進入障礙，以維持我國半導體業領先優勢，提高半導體產業競爭差異化，提升半導體材料自主性維持我國半導體領先優勢。

二、審查重點(包含成效指標)

(一)創新部分：提案業者所提計畫開發項目及規格需符合下列規範，且計畫需包括取得α-site材料特性評估驗證證明，並導入下游半導體或封裝系統廠進行β-site場域驗證或其他證明資料(如採購訂單等)，詳述如次

1.開發項目包含：

(1)管制材料：日韓貿易戰始於出口管制措施之相關半導體材料，應用於Å世代半導體製程用之重要材料，選定下列項目作為優先開發項目，項目說明如下。

A.晶圓基板材料：

i.導電型碳化矽晶圓材料(n-type)，純度˃6N，晶片尺寸至少8吋、晶體晶型(polytype)=4H，通過可靠度測試。

ii.半絕緣型碳化矽晶圓材料(semi-insulating)，純度˃6N，晶片尺寸至少6吋、晶體晶型(polytype)=4H，通過可靠度測試。

B.原子層沉積前驅物：聚矽烷前驅物(三矽甲基胺Trisilylamine,TSA)、高電阻矽碳烷(聚矽烷前驅物-二碘矽烷Diiodosilane,DIS)等，純度˃5N。

C.光阻材料：DUV(KrF、ArF)光阻、頂部抗反射層TARC、底部抗反射層BARC。

D.DUV光阻配合材料：光阻配合化學品如低碳數環保光阻配方材料等。碳數(C)≦4、純度至少3N。

E.晶圓保護材料：晶圓製程用介電性感光型聚醯亞胺、相關單體及其化合物，其CTE<30ppm/K，Resolusion 5μm@10μm THK，NMP free, Flourine free。

F.其他：電磁波/光波吸收材料、襯裏材料(氧化鋯/氮化矽/氟化橡膠)等。

(2)非管制材料：因應下世代高速/高頻傳輸、5G、IoT等使用之相關半導體封裝材料，其內容如次：

A.IC封裝用感光性聚醯亞胺：硬化溫度≦180˚C、解析度≦ 8μm under 8μm Thickness、耐化性 pass (TMAH、DMSO、GBL、H2O2、H3PO4、Flux)。

B.AiP射頻通訊晶片模組封裝材料：介電常數：3~9@80GHz、介電損耗：≦0.003@10GHz、基板熱傳導係數：≧5W/m.K、天線基板介電常數飄移量： ≦ 1%@20-40GHz。

C.晶片封裝底部填充膠(Underfill)： Viscosity：55±5 Pa·S、CTE1：22ppm/C (Tg前) 、 CTE2：88ppm/C (Tg後)。

(3)其餘未列之規格，需經專業審查小組審查同意。

(二)市場營運規劃：應具體提出國內外市場營運規劃(產品競爭者、財務價格、行銷及客戶等)及中長期營運策略等。

(三)提案團隊：

1.申請本計畫之主導廠商應具有半導體材料研發之能力或與其合作之業者，主導專案計畫之執行，可帶動國內產業鏈之形成及群聚，開發高值化之新產品、高純度材料產品技術開發與生產技術之提升。

2.本計畫可由1家業者主提或是與其他業者聯合提出申請，但以聯合提出申請者，應具產業上中下游及跨領域結盟，確定產業標準、擬定技術規格、建立共通平台，促進新興產業升級轉型。

(四)計畫全程效益(含相關投資計畫)：包含計畫開發內容之市場需求、預計產值、直接或間接投資額、增加就業等，提案單位應透過量/質化效益描述呈現。

三、有關申請之企業應符合下列申請資格：

(一)國內依法登記成立之獨資、合夥、有限合夥事業或公司。

(二)非屬銀行拒絕往來戶，且淨值(股東權益)為正值。

(三)不得為陸資投資企業(依經濟部投資審議委員會公布之最新陸資來台投資事業名錄)。